Sa makuti nga kalibutan sa semiconductor fabrication, diin ang pagmaniobra sa butang mahitabo sa atomic scale, ang ion implantation nagbarug isip usa ka cornerstone nga teknolohiya. Kini nga proseso, nga tukma nga nagbomba sa mga silicon wafer nga adunay mga dopant ions aron ma-tune ang ilang mga elektrikal nga kabtangan, nagsalig sa usa ka kritikal nga punto sa pagsugod: ang paghimo sa usa ka putli, lig-on nga sinag sa ion. Sa kinauyokan sa tinubdan sa ion-ang makina niining komplikadong sistema-naa sa usa ka component nga naglangkob sa kalig-on ubos sa grabeng mga kondisyon: ang tungsten filament.
Kining mapainubsanon nga gilukot nga alambre, sa pagkatinuod, usa ka kahibulongan sa materyal nga siyensiya. Ang mga palibot sa pag-implant sa ion kay bangis nga kontra: gikombinar nila ang nagdilaab nga kainit, makadaot nga mga kemikal gikan sa mga gas sama sa BF₃ o PH₃, ug kanunay nga pagpamomba sa partikulo. Ang filament, nga sagad nagsilbi nga cathode, kinahanglang painiton ngadto sa incandescence aron mobuga ang mga electron nga gikinahanglan sa pagdilaab ug pagpadayon sa plasma. Ang pagkapakyas dinhi mosangpot sa pagkawalay kalig-on sa sinag, kontaminasyon sa metal, ug mahal nga downtime sa produksiyon.
Ngano nga ang tungsten naghari alang niini nga papel? Ang tubag anaa sa dili hitupngan nga mga kabtangan niini:
Grabe nga Pagsukol sa Temperatura: Uban sa labing taas nga punto sa pagkatunaw sa tanan nga mga metal (3422 degree), ang tungsten filament nagmintinar sa integridad sa istruktura kung ang uban mapakyas.
Superior Sputter Resistance: Kini mosukol sa erosion gikan sa plasma bombardment, pagsiguro sa mas taas nga kinabuhi ug purer ion beams.
Maayo nga Electron Emission: Ang mga thermionic nga kabtangan niini maayo alang sa pagmugna sa makanunayon nga pag-agos sa elektron nga gikinahanglan alang sa lig-on nga henerasyon sa plasma, ilabi na sa Indirectly Heated Cathode (IHC) nga mga tinubdan.
Ang mga gipangayo sa sunod nga-kaliwatan nga mga chip, apil na kadtong para sa silicon carbide (SiC) ug gallium nitride (GaN) nga mga galamiton sa kuryente, nagduso pa sa teknolohiya sa implantasyon. Kini nagduso sa panginahanglan alang sa mas kasaligan, taas nga-performance tinubdan nga sangkap. Ang tungsten filament milambo gikan sa usa ka yano nga wire ngadto sa usa ka tukma nga-engineered consumable, uban sa pag-uswag sa grain structure control ug doping (pananglitan, uban sa talagsaon nga-earth oxides) nga nagpalambo sa iyang durability ug emission efficiency.
Ang pagkuha niini nga misyon-mga kritikal nga sangkap nanginahanglan usa ka kauban nga adunay lawom nga kahanas sa metalurhiko ug usa ka pasalig sa katukma. Sulod sa kapin sa duha ka dekada, ang Zhuzhou Kingdon Industrial & Commercial Co., Ltd (W / Mo Sukad sa 2004) usa ka kasaligan nga ngalan sa advanced refractory metals. Nag-espesyalisar sa mga produkto nga tungsten ug molybdenum, ang Kingdon naghatag sa taas nga-kaputli, makanunayon nga ginama nga mga materyales nga gikinahanglan alang sa mga gikinahanglang aplikasyon sama sa ion implantation.
Para sa mga inhenyero ug mga espesyalista sa pagpamalit nga nangitag kasaligang mga sangkap sa tinubdan sa ion, lakip ang taas nga-performance nga tungsten filament, ang Zhuzhou Kingdon nagtanyag ug napamatud-an nga kahanas ug kahusayan sa paggama.
Zhuzhou Kingdon Industrial & Commercial Co., Ltd (W/Mo Sukad 2004)
Idugang: No.9 nga Dalan sa Zhongda, High{1}}Tech Industrial park, Zhuzhou, Hunan, China
Tel: +86-731 28470377 / 22868227
Fax: +86-731 28410491
Web:www.kdmet.com
